[30.11.2006] Der Experimentalphysiker Prof. Dr. Michael Horn-von-Hoegen bestreitet den nächsten Uni-Colleg-Vortrag über das Thema „Schnellere Transistoren für die Mikroelektronik: "it´s not a trick, it´s atomic soap".
Beginn ist am Nikolaustag 6. Dezember, um 19.30 Uhr im Hörsaal MD 162, Mülheimer Str./Lotharstr., Campus Duisburg. Der Eintritt ist frei.

Die moderne Silizium-Halbleiterindustrie ist Sklavin ihres eigenen Erfolgs geworden. Die Nutzer erwarten ständige Leistungs- und Geschwindigkeitssteigerungen bei Computern, Mikroprozessoren und Speichern. Jedoch ist das Ende in einem Jahrzehnt abzusehen. Dann lassen sich die Transistoren nicht weiter verkleinern, und auch die Geschwindigkeit der Elektronen ist an einer natürlichen Grenze angelangt.

Einen Ausweg, so erklärt Experimentalphysiker Michael Horn-von-Hoegen, bietet die Rückbesinnung auf Germanium. In ihm bewegen sich die Elektronen von Natur aus um ein vielfaches schneller wie in Silizium. Dazu müssen jedoch perfekte Kristallschichten aus Germanium auf einen Siliziumträger (Wafer) integriert werden. Da aber Germaniumatome um vier Prozent größer als Siliziumatome sind, treten beim Kristallwachstum Fehler auf: Es bilden sich keine glatten geschlossenen Schichten, sondern es kommt zu unerwünschter Inselbildung.

Wie man das Wachstum von solchen Schichten mit Hilfe eines atomaren Seifenfilms (Surface Active Agent oder „atomic soap“) verhindert, erklärt Professor Michael Horn-von-Hoegen in seinem Vortrag.