Dr.-Ing. Lisa Liborius
Anschrift
Lotharstr. 55 (LT)
47057 Duisburg
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Raum
LT 201
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Funktionen
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Wissenschaftliche/r Mitarbeiter/in, Bauelemente der Höchstfrequenz-Elektronik
Aktuelle Veranstaltungen
Vergangene Veranstaltungen (max. 10)
Keine vergangenen Veranstaltungen.
Die folgenden Publikationen sind in der Online-Universitätsbibliographie der Universität Duisburg-Essen verzeichnet. Weitere Informationen finden Sie gegebenenfalls auch auf den persönlichen Webseiten der Person.
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Impact of the Tip-to-Semiconductor Contact in the Electrical Characterization of NanowiresIn: ACS Omega Jg. 9 (2024) Nr. 5, S. 5788 - 5797Online Volltext: dx.doi.org/ (Open Access)
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Electrical Properties of the Base-Substrate Junction in Freestanding Core-Shell NanowiresIn: Advanced Materials Interfaces Jg. 9 (2022) Nr. 30, 2200948Online Volltext: dx.doi.org/ (Open Access)
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Tunneling-Related Leakage Currents in Coaxial GaAs/InGaP Nanowire Heterojunction Bipolar TransistorsIn: Physica Status Solidi (B): Basic Solid State Physics Jg. 258 (2021) Nr. 2, S. 2000395Online Volltext: dx.doi.org/ (Open Access)
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Hot electrons in a nanowire hard X-ray detectorIn: Nature Communications Jg. 11 (2020) Nr. 1, S. 4729Online Volltext: dx.doi.org/ (Open Access)
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Spatially controlled VLS epitaxy of gallium arsenide nanowires on gallium nitride layersIn: CrystEngComm Jg. 22 (2020) Nr. 7, S. 1239 - 1250Online Volltext: dx.doi.org/
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n-Doped InGaP Nanowire Shells in GaAs/InGaP Core–Shell p–n JunctionsIn: Physica Status Solidi (B): Basic Solid State Physics Jg. 257 (2020) Nr. 2, S. 1900358Online Volltext: dx.doi.org/ (Open Access)
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Process Development for Wet-Chemical Surface Functionalization of Gallium Arsenide Based NanowiresIn: Physica Status Solidi (B): Basic Solid State Physics (2019) S. 1800678Online Volltext: dx.doi.org/
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Toward Nanowire HBT : Reverse Current Reduction in Coaxial GaAs/InGaP n(i)p and n(i)pn Core-Multishell NanowiresIn: Physica Status Solidi (A) - Applications and Materials Science Jg. 216 (2019) Nr. 1, S. 1800562Online Volltext: dx.doi.org/
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Comparative analysis on resistance profiling along tapered semiconductor nanowires : Multi-tip technique versus transmission line methodIn: Journal of Physics: Condensed Matter Jg. 29 (2017) Nr. 39, 394007Online Volltext: dx.doi.org/
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Ohmic contacts to n-GaAs nanowiresIn: Journal of Applied Physics Jg. 110 (2011) Nr. 1, S. 014305Online Volltext: dx.doi.org/