Höchstfrequenz- und Terahertz-Halbleitertechnologien (NST1)
Die Veranstaltung vertieft die technologischen Verfahren zur Herstellung von nanostrukturierten Materialien und Komponenten und die zugehörigen Analysemethoden an aktuellen Bespielen aus der Bauelementherstellung. Dies beinhaltet:
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Moderne Wachstumstechniken für monoatomlagengenaue Schichtdeposition wie Metallorganische-Gasphasenepitaxie (MOVPE) und Molekularstrahlepitaxie (MBE), bezüglich Zusammensetzung, Kontrolle der Schichtdicke und Dotierung.
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Nutzung von Selbstorganisationsmechanismen und Templateprozessen.
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Fortgeschrittene hochauflösende Lithographieverfahren zur Erzeugung nanoskaliger Strukturen (Elektronen- Röntgenstrahl- sowie Rastersonden-Lithographie).
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Mikro- und nano-elektronische Fertigungstechniken für elektronische und optoelektronische Nanokomponenten, u.a. für Höchstfrequenzanwendungen.
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Laterale und vertikale Verarbeitung von Epitaxie-Filmen, Isolierschichten und Metallisierungen bis hin zu monolithisch integrierten nanoelektronischen Schaltungen.
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Zerstörungsfreie Analyse der Nanostrukturen und Bauelemente durch hochauflösende Röntgenstrahl-Beugung und durch die Nutzung der Wechselwirkung von Elektronensonden mit den Materialien.
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Analyseverfahren mit mechanischen Sonden (Raster-Tunnel- und die Raster-Kraft-Mikroskopie)
Ansprechpartner: Prof. Dr. Nils Weimann
Veranstaltung im WS 2024/25
Vorlesung |
Übung |
Dozent: Dr. Lisa Liborius Termin: Dienstags, 08:00 - 10:00 Beginn: 08.10.2024 Ort: BB 130 |
Dozent: M.Sc. Jonathan Abts Termin: Dienstags, 10:00 - 11:00 Beginn: 08.10.2024 Ort: BB 130 |