Rem

Zentrallabor für Rasterelektronenmikroskopie

Das Zentrum für Rasterelektronenmikroskopie wurde 2005 gegründet. Es steht allen Angehörigen der Universität Duisburg-Essen als Service-Einrichtung zur Verfügung, wobei die Betriebskosten auf die Nutzer/innen umgelegt werden. Die kompetente Betreuung und Durchführung der Experimente wird durch drei Betreuer/innen (Dr. Loza, Frau Giebel, Herr Bochmann) sichergestellt. Es stehen umfangreiche Möglichkeiten für die Probenpräparation zur Verfügung.

Leitung:
Prof. Dr. Matthias Epple
E-mail: matthias.epple@uni-due.de
Fon: +49 (0) 201 183 2413

Kontakt:
 

Dr. Kateryna Loza
E-mail:kateryna.loza@uni-due.de
Fon: +49 (0) 201 183 2556

Tobias Bochmann
E-mail:tobias.bochmann@uni-due.de
Fon: +49 (0) 201 183 2896

Jo-Ann Wollenberg
E-mail: jo-ann.wollenberg@uni-due.de
Fon: +49 (0) 201 183 2973


Standort:
Universität Duisburg-Essen
Institut für Anorganische Chemie
Universitätsstrasse 5
45141 Essen

Raum: S05 V00 E04 

Projekte - Aktuelle Anwendungen

  • Untersuchung von biologischen Proben
  • Strukturen von Biomaterialien und Implantaten
  • Untersuchung von Katalysatoren
  • Temperaturinduzierte Phasenumwandlungen von Festkörpern
  • Mikrostruktur von Werkstoffen und Transportphänomene
  • Gefrierverhalten von Wasser und Transport von Wasser zu Eis bei tiefen Temperaturen
  • Untersuchung der Wasseraufnahme von Wandstoffen
  • Untersuchung von Ultrafeinstäuben
  • Charakterisierung von Einzelpartikeln in Umweltaerosolen
  • Wechselwirkungen von Zellen mit ihrer Umgebung, z.B. in Biofilmen
  • Wechselwirkung von Metallen, Metalloiden und ihren organischen Derivaten mit lebenden Zellen
  • Untersuchungen an Eis und dotierten Eisoberflächen

Instrumentelle Ausstattung

  • Metallbedampfungsanlage: EMITECH Turbo Evaporator K950,
  • Beschichtungsanlage: EMITECH Carbon Coating K250 für K550,
  • Bedampfungsanlage: EMITECH Automatic Coater K550,
  • Ionenstrahlätzanlage: Gatan Precision Ion Polishing System Model 681,
  • Mikrotom: Leica Ultracut UCT,
  • Trimmer: Leica EM TRIM,
  • Mikroskop: Leica Laborlux 12 POL
  • Schleif-Poliermaschine: ATM-Saphir 520/530
  • Kritisch-Punkt-Trockner: Baltec CPD 030
  • Gefriertrocknungsanlage: Christ Alpha 2-4 LSC

Ausstattung

 Apreo S LoVac

Apreo

Rasterelektronenmikroskop
(Apreo S LoVac, Thermo Fisher Scientific)
Information über: Topographie, Morphologie, chemische Zusammensetzung
Auflösung: 1 nm bei 1 kV, 0,8 nm bei 1 kV in Immersionmodus, 0,7 nm bei 30 kV in STEM-Modus
Materialien: Anorganische und organische Proben
Abbildung:
•Sekundärelektronenkontrast (SE), in lense-Detektor (T2) und in column-Detektor (T3), Topographie
•Rückstreuelektronenkontrast (BSE, in lense-Detektor (T1/T2*), Z-Kontrast)
•Transmission (STEM, BF, DF, HAADF)
•Niedervakuumbetrieb (LVD, BSE-GAD, bis 500 Pa)
Analytisches REM:
•Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDS, Energierauflösung < 129 eV für MnK, Detektorfläche 100 mm2)
•Wellenlängendispersive Röntgenspektroskopie (WDS, LIF, PET, TAP, NiC80, Energieauflösung < 10 eV)
Besonderheiten:
20 eV-30 keV, beam deceleration, in situ Halter (40-1200 °C, Mikrochips), Plasma Cleaner, Kühlfalle

Ausstattung

ESEM Quanta 400 FEG

Esem

Rasterelektronenmikroskop
(ESEM Quanta 400 FEG, FEI)
Information über: Topographie, Morphologie, chemische Zusammensetzung
Auflösung: 3,5 nm bei 3 kV, 2 nm bei 30 kV, 5 nm bei 30 kV in Niedervakuum und ESEM-Modus
Materialien: Anorganische und organische Proben
Abbildung:
•Sekundärelektronenkontrast (SE, Topographie)
•Rückstreuelektronenkontrast (BSE, Z-Kontrast)
•Transmission (STEM, BF)•Niedervakuum (LV-GSED, bis 200 Pa)
•Environmental Mode (GSED, bis 4000 Pa)
Analytisches REM:
•Energiedispersive Röntgenspektroskopie (EDS, Energierauflösung < 132 eV für MnK, Detektorfläche 10 mm2)
Besonderheiten: 200 V-30 kV, ESEM-Modus, Peltier-Tisch, Kühltisch, Heiztisch (RT-1200 °C), Plasma Cleaner

Ausstattung

LEO S420

Leo
Rasterelektronenmikroskop
(LEO 420, Zeiss)
Information über: Topographie, Morphologie
Auflösung: <20 nm bei 30 kV
Materialien: Anorganische und organische Proben
Abbildung: Sekundärelektronenkontrast (SE, Topographie)
Besonderheiten: 300 V-30 kV