Rasterelektronen-Mikroskopie

• Raster-Elektronen-Mikroskop 0.05...30 keV mit Schottky Emitter und In-Lens-Detektor,
  Auflösung 1.2 nm
• Raster-Elektronen-Mikroskop 30 keV

Rastersonden-Mikroskopie

• 2 Rasterkraftmikroskope für lokale Potenzial-, Spannungs- und Strommessungen
  (Auflösung: einige µA, 5 mV, < 40 nm)
• 1 Nadelsensor-Rasterkraftmikroskop für lokale Strom-/ Spannungsmessungen
  (Auflösung: 100 µV, < 100 nm)
• 1 Rasterkraftmikroskop für Topografiemessungen und magnetische Rasterkraft-Mikroskopie
• mehrere Lock-In Verstärker 1 mHz - 200 MHz, 2 nVrms – 1 Vrms
• Hochfrequenzsignal Generatoren 9 kHz – 40 GHz
• Digital-Speicheroszilloskop Abtastrate pro Kanal: 2 GSa/s
• Synthesizer, Signalgeneratoren
• Box-Car-Integrator

Nanotechnologie und Präparation

• Elektronenstrahl-Lithographie bis 30 keV, laterale Strukturgröße bis 25 nm
• Ultraschalldrahtbondgeräte
• Maskenjustiergerät
• Photolackschleuder bis 7000 U/min
• Vakuumofen, Ausheilofen (bis 650^oC), Rohrofen (bis 1100^oC)
• optische Messmikroskope 1000-fach
• Sputteranlage (Metalle, Magnete)
• Aufdampfanlagen für thermische und Elektronenstrahlverdampfung
• Ozonreiniger
• Spitzenmessplätze (Microprober)

Optische Spektrokopie

• ps/fs Lasersystem bestehend aus Nd:YV04-Pumplaser und modengekoppeltem Ti-Saphirlaser inkl. Frequenzverdopplung und –verdreifachung
  (1.5 ps / 100 fs; > 100 mW @ 240 nm …500 nm; > 1.5 W @ 700 nm … 1000 nm)
• ps/fs Lasersystem bestehend aus Nd:YV04-Pumplaser und modengekoppeltem Ti-Saphirlaser inkl. Frequenzverdopplung
  (1.5 ps / 100 fs; > 50 mW @ 360 nm …500 nm; > 1 W @ 700 nm … 1000 nm)
• periodisch gepolter optisch parametrischer Oszillator inkl. Frequenzverdopplung
  (100 fs; > 50 mW @ 505 nm … 750 nm; > 100 mW @ 1000 nm …. 1600 nm)
• Pulspicker (Einzelschuß … 40 MHz mit externem Trigger)
• Nd:YAG-Laser frequenzverdoppelt, modengekoppelt, 20W @ 1064 nm, 2W @ 532 nm, 70 ps zzgl. Glasfaser-Pulskompressor 2 W; 5 ps
• Farbstoff-Laser hybridmodengekoppelt, 90 mW, 0,8 ps
• Streak-Kamera, Zeitauflösung 2 ps
• Micro-Channel-Plate, Zeitauflösung < 50 ps
• Durchflusskryostat für transiente Kerr-Rotation, Ortsauflösung < µm, externe Magneten
  (B = 0 T..1.2 T, T = 3 K..300 K)
• BadKryostat T = 1.5 K..300 K
• Closed-Cycle-Kryostat (kühlmittelunabhängig), T = 3 K..300 K

• UV-VIS Argon-Ionenlaser 25 W VIS, 5 W UV, > 0.1 W @ 275 nm
• Argon-Ionenlaser 6 W VIS all-line, 500 mW UV all-line
• Farbstoff-Laser 1 W @600 nm
• Ti:Saphir-Laser (cw) 380 nm – 475 nm (80 mW); 730 nm – 950 nm (800 mW)
• Diodenlaser 405 nm, 450 nm, 640 nm, 735 nm, >10 mW, cw und optional gepulste Anregung (100 ps)
• Durchflusskryostat für Magnetooptik, Ortsauflösung < µm, supraleitender Magnet
  (B = 0 T.. 5 T, T = 3 K..300 K)
• Durchflusskryostat für Nanooptik/Elektrolumineszenz, Ortsauflösung < µm, T = 3 K..300 K
• Monochromatoren Brennweiten: f = 320 mm … 550 mm, Auflösung bis ~150 µeV
• CCD-Kameras back und front illuminated, bis 2048 x 512 pixel
• Photomultiplier 160 nm – 930 nm
• Zwei-Kanal Gated Photonenzähler: 200 MHz Zählrate, 10 mV Empfindlichkeit
• Hanbury-Rrown-Twiss-Aufbau für Messungen der Photonenstatistik (Avalanche Photodioden mit Zeitauflösung besser 100 ps)